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芯能發(fā)布汽車級(jí)大功率IGBT芯片

芯能半導(dǎo)體芯能半導(dǎo)體 Loading... 2020-03-17

2019年新能源汽車市場雖受到政府相關(guān)支持政策退坡影響，但全年銷量仍然超過120萬輛。與此同時(shí)，充電基礎(chǔ)設(shè)施也迎來了爆發(fā)期，截至2019年年底，全國充電基礎(chǔ)設(shè)施累計(jì)數(shù)量也已超過100萬套。IGBT模塊是新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，成本占到新能源整車成本的5~10%，占到充電樁成本的近20%。

芯能作為國內(nèi)專業(yè)的，專注于IGBT功率器件產(chǎn)品供應(yīng)商，從2015年開始涉足汽車IGBT的研發(fā)，我司經(jīng)過多年的多次優(yōu)化、反復(fù)驗(yàn)證，在2019年12月成功研發(fā)出了芯能完全自主的汽車級(jí)750V200A IGBT芯片。

1、芯片信息

本芯片采用國際領(lǐng)先的溝槽柵+場截止技術(shù)，并針對(duì)車用場合進(jìn)行了器件設(shè)計(jì)和工藝優(yōu)化。一方面在保證了擊穿電壓有足夠冗余的情況下，獲得較好的導(dǎo)通壓降，同時(shí)優(yōu)化了芯片布局，讓器件的開關(guān)特性更好，更經(jīng)濟(jì)適用。

■750V,200A

■溝槽柵+場截止技術(shù)

■超低損耗

■高可靠性

■高結(jié)溫175℃

■通過嚴(yán)苛的汽車級(jí)可靠性測試

2、模塊信息

此產(chǎn)品是750V400A的三相全橋IGBT模塊，以自主研發(fā)750V200A IGBT芯片和定制的750V200A FRD芯片為核心，基于行業(yè)成熟通用封裝形式。采用真空焊片焊接工藝降低焊接空洞率；采用氧化鋁陶瓷DCB，保證高絕緣強(qiáng)度的情況下，提高模塊導(dǎo)熱性。750V電壓等級(jí)，彌補(bǔ)常規(guī)600V，650V在有些電壓平臺(tái)耐壓不足的缺點(diǎn)，提高可靠性。

3、芯能自主研發(fā)的專用驅(qū)動(dòng)板

■基于ST最新的磁隔離驅(qū)動(dòng)芯片；

■5A的峰值電流驅(qū)動(dòng)能力

■集成動(dòng)態(tài)米勒電壓鉗位功能

■集成短路保護(hù)功能

■Vce鉗位功能

■兩電平關(guān)斷功能

■欠壓/過壓保護(hù)功能

■集成SPI功能

■故障保護(hù)功能

■驅(qū)動(dòng)芯片滿足AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)

4、開關(guān)動(dòng)態(tài)測試波形展示

■IGBT開關(guān)波形良好，無振蕩、無抖動(dòng)

■動(dòng)態(tài)損耗與同規(guī)格競品相當(dāng)

■Dv/dt、di/dt速度適中，能較好的平衡損耗與EMI

■二極管反向恢復(fù)電流及軟度比較合適

雙脈沖波形

IGBT開啟波形

IGBT關(guān)閉波形

5、芯能專用結(jié)合應(yīng)用的測試臺(tái)架

除了常規(guī)的功率沖擊循環(huán)等測試之外，芯能還結(jié)合汽車應(yīng)用的特殊工況和長壽命要求，定制了大電流沖擊臺(tái)架、電機(jī)對(duì)拖臺(tái)架等高度還原實(shí)際應(yīng)用條件的測試設(shè)備，對(duì)芯片和模塊進(jìn)行長時(shí)間的測試，運(yùn)行狀態(tài)良好。